Siliziumkarbid (SiC) ist ein vielversprechendes Materialsystem für photonische integrierte Schaltungen (PICs) und miniaturisierte Festkörper-Quantensysteme. Im Projekt ALP-4-SiC –Atomlagenprozessierung für SiC für Anwendungen in der Photonik und Quantenkommunikation – entwickeln Forschende des Max-Planck-Instituts für die Physik des Lichts (MPL) und des Fraunhofer-Instituts für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB gemeinsam Basistechnologien für […]
Im Rahmen der MINT-Projektwoche »Kristalle« steht für die Schülerinnen und Schüler der Montessori Schule Herzogenaurach echte Forschung auf dem Stundenplan: Sie schlüpfen in Laborkittel, Schutzbrillen und Handschuhe und tauchen voll in die Welt dieser spannenden Werkstoffe ein. Halbleiter-Kristalle in Mikrochips sind die Basis unserer modernen Elektronik und begegnen uns im […]
Siliziumkarbid bietet für die Leistungselektronik erhebliche technische Vorzüge – ein Nachteil sind nach wie vor die Kosten. Im Forschungsprojekt »ThinSiCPower« entwickelt ein Konsortium von Fraunhofer-Instituten Schlüsseltechnologien, mit denen Materialverbrauch und Bauelementdicke reduziert und gleichzeitig die thermomechanische Stabilität der aufgebauten SiC-Chips erhöht wird. Die erzielten Einsparungen sollen dazu beitragen, die Markterschließung […]
Schülerinnen und Schüler der Montessori Schule Herzogenaurach begeben sich auf eine spannende Reise in die Welt der Kristalle. Gemeinsam mit dem Fraunhofer IISB in Erlangen veranstaltet die Schule im Rahmen des MINT-Unterrichts (Mathematik, Informatik, Naturwissenschaften und Technik) die Kristall-Projektwoche. Die Kinder erarbeiten sich Wissen über diese einzigartigen Materialien und ihre […]
Ein Forschungsteam der Rigaku SE und des Fraunhofer IISB hat gemeinsam eine einzigartige, industrietaugliche Charakterisierungsmethode für Halbleitermaterialien realisiert. Dabei wurde erstmalig der Aufbau des Röntgentopographiesystems mit der Entwicklung entsprechender Algorithmen zur Fehlererkennung und -quantifizierung kombiniert. Das Verfahren eignet sich optimal für Siliziumkarbid (SiC) – ein exzellenter Halbleiter für Bereiche wie […]
Geht es um besonders verlustarme Halbleiterbauelemente und hocheffiziente Leistungselektronik, führt heute kein Weg mehr vorbei an Siliziumkarbid (SiC). Das Wide-Bandgap-Halbleitermaterial SiC ist dem konventionellen Silizium in vielen Belangen überlegen und erobert immer neue Anwendungsbereiche, beispielsweise in der Optoelektronik, Sensorik oder Festkörper-Quantenelektronik. Selbst im Weltraum kann SiC mittlerweile seine überragenden physikalischen […]
