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WITec Paper Award 2019

Wie jedes Jahr verleiht WITec den Paper Award für herausragende Publikationen aus dem Vorjahr, die unter Verwendung eines WITec Mikroskops entstanden sind. Für die WITec Jury ist es nie leicht, aus den vielen exzellenten Arbeiten die drei Gewinner auszuwählen. WITec bedankt sich herzlich bei allen Forschern, die ihre Arbeit eingereicht […]

PlayNitride setzt auf AIX G5+ C für Micro LED-Produktion

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass PlayNitride Inc. eine AIX G5+ C MOCVD-Anlage zur Herstellung von GaN-basierten (Galliumnitrid) Micro LEDs erhält. Das taiwanesische Unternehmen ist einer der Technologieführer bei Micro LED-Displays und hat kürzlich seine ersten Micro LED-basierten Display-Prototypen vorgestellt. Durch […]

BluGlass kooperiert mit AIXTRON

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass es mit dem australischen Technologie-Innovator BluGlass Limited (ASX: BLG) bei der Evaluation von dessen einzigartiger Remote Plasma Deposition (RPCVD)-Technologie zusammenarbeitet. Für die Skalierung von RPCVD auf die Massenproduktion hat BluGlass sich für die AIX […]

InnoScience treibt Entwicklung von GaN-Bauelementen mit mehreren MOCVD-Anlagen von AIXTRON voran

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, wird mehrere AIX G5+  C MOCVD-Anlagen an InnoScience Technology Co. Ltd. (China) für die Entwicklung von GaN-(Galliumnitrid)-Leistungsbauelementen liefern, die aufgrund ihrer überlegenen Leistung bei hohen Frequenzen in verschiedenen Anwendungen zunehmend die Si-(Silizium)-Leistungsbauelemente verdrängen. Alle Anlagen-Cluster von AIXTRON […]

EpiGaN erweitert Produktion von GaN-Leistungselektronik mit AIX G5+ C

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass EpiGaN eine AIX G5+ C MOCVD-Anlage zur Erhöhung der Produktionskapazität von GaN-on-Si1– und GaN-on-SiC2-Epiwafern mit großem Durchmesser bestellt hat. Das belgische Unternehmen ist spezialisiert auf GaN-on-Si- und GaN-on-SiC-basierte Materialproduktlösungen für zukunftsweisende Halbleiterbauelemente, die vor allem […]

Plessey setzt auf AIX G5+ C MOCVD-Anlage für Produktion monolithischer GaN-auf-Si-Mikro-LED Display-Innovation

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat von Plessey Semiconductors einen Auftrag über einen AIX G5+ C Planetary Reactor® erhalten. Die MOCVD-Anlage (MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition) wird Plessey‘s Produktionskapazität für Galliumnitrid-auf-Silizium-Wafer (GaN-on-Si) für zukunftsweisende Mikro-LED-Anwendungen weiter erhöhen. Mit einem automatischen Cassette-to-Cassette (C2C)-Wafer-Transfermodul […]

Raytheons 360-Grad AESA-Radar absolviert mehr als 3.000 Betriebsstunden

Das von Raytheon finanzierte [NYSE:RTN] 360-Grad-fähige Galliumnitrid-basierte AESA-Radar erreicht mit mehr als 3.000 erfolgreich absolvierten Betriebsstunden einen wichtigen Meilenstein. Das Radar ist Teil von Raytheons Angebot zur Leistungssteigerung der deutschen Patriot®-Luftverteidigungssysteme. „Das Radar demonstriert die 360-Grad-Fähigkeit routinemäßig bei der Verfolgung von taktischen Zielen, wie zum Beispiel Kampfflugzeugen im Manöver, Drohnen […]

Avnet Silica bietet Fairchild-Produktportfolio als Teil des ON Semiconductor Angebots an

Avnet Silica, ein Unternehmen der Avnet, Inc. (NYSE: AVT), bietet nach der Übernahme von Fairchild Semiconductor durch ON Semiconductor das gesamte Produktangebot von ON Semiconductor an. Mit der Übernahme ist ON Semiconductor nun ein führender Anbieter von Power-Management- und Analog-Halbleiterbausteinen für verschiedenste Anwendungen und Endmärkte. Die vollständige Produktpalette aus ON […]